我們知道功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，它利用半導體單向導電的特性，改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等功能。根據可控性和其他使用因素，功率器件分成了很多種類別，其中常見的分類有：

　　1、MOS控制晶閘管MCT(MOS Controlled Thyristor)

　　MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅動圖MCT的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。實質上MCT是一個MOS門極控制的晶閘管。它可在門極上加一窄脈沖使其導通或關斷，它由無數單胞并聯而成。

　　它的特點是：其驅動電路比GTO的驅動電路簡單;通態壓降與SCR相當，比IGBT和GTR都低。MCT具有高電壓、大電流高輸入阻抗低驅動功率、低通態壓降、開關速度快以及開關損耗小等特點。另外,MCT承受di/dt和du/dt的能力極高,可使其保護電路得以簡化。

　　2、IGCT集成門極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)

　　IGCT是在晶閘管技術的基礎上結合IGBT和GTO等技術開發的新型器件，具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、低導通損耗等特點。是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件，適用于高壓大容量變頻系統，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。

　　IGCT是將GTO芯片與反并聯二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點。在導通階段發揮晶閘管的性能，關斷階段呈現晶體管的特性。

　　3、集成電力電子模塊IPEM(Intergrated Power Elactronics Modules)

　　IPEM是將電力電子裝置的諸多器件集成在一起的模塊。它首先是將半導體器件MOSFET，IGBT或MCT與二極管的芯片封裝在一起組成一個積木單元，然后將這些積木單元迭裝到開孔的高電導率的絕緣陶瓷襯底上，在它的下面依次是銅基板、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過表面貼裝將控制電路、門極驅動、電流和溫度傳感器以及保護電路集成在一個薄絕緣層上。IPEM實現了電力電子技術的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統噪聲和寄生振蕩，提高了系統效率及可靠性。

　　4、超大功率晶閘管

　　晶閘管(SCR)自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。近十幾年來，由于自關斷器件的飛速發展，晶閘管的應用領域有所縮小，但是，由于它的高電壓、大電流特性，它在HVDC、靜止無功補償(SVC)、大功率直流電源及超大功率和高壓變頻調速應用方面仍占有十分重要的地位。

　　該器件獨特的結構和工藝特點是：門-陰極周界很長并形成高度交織的結構，門極面積占芯片總面積的90%，而陰極面積僅占10%;基區空穴-電子壽命很長，門-陰極之間的水平距離小于一個擴散長度。上述兩個結構特點確保了該器件在開通瞬間，陰極面積能得到100%的應用。此外，該器件的陰極電極采用較厚的金屬層，可承受瞬時峰值電流。

　　超大功率晶閘管的特點包括：

　　1)晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態。

　　2)晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。

　　3)晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。門極只起觸發作用。

　　4)晶閘管在導通情況下，當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時，晶閘管關斷。

　　5)晶閘管導通的條件是陽極與陰極間應加正向電壓，同時門極與陰極間也應加上適當的正向電壓。要使已導通的晶閘管截止，必須切除陽極與陰極間的正向電壓或將該電壓反向。